Состояние Новый
Счет-фактура Я выставляю счет-фактуру НДС
Тип памяти DDR3L
Емкость 4 ГБ
Количество модулей Один
Вес с индивидуальной упаковкой 0.2 кг
ЕАН (GTIN) 0634158067679
Код производителя M471B5173EB0-YK0
Производитель Samsung
Дополнительные характеристики позолоченные разъемы
Охлаждение нет
Цвет зеленый
Напряжение 1.35 В
Задержки (Cycle Latency) Одиннадцать
Емкость одного модуля 4 ГБ
Частота шины памяти (Мгц) Одна тысяча шестьсот
Тип разъема SO-DIMM
Сертификаты соответствия CE
Модель M471B5173EB0-YK0
Количество 4 штук
4 GB - 1Rx8 - PC3L-12800S-11-13-B4 - DDR3L / PC3L - 1600 MHz - CL11 - 1.35V
Pamięć nowa z zapasów producenta kupowana w zbiorczych opakowaniach box 50szt/100szt.
lub z nowych laptopów i wymiany na większe moduły.
SAMSUNG – od chwili założenia firmy w koreańskim Suwon w 1969 roku Samsung Electronics urosła do rangi lidera w zakresie rozwiązań informatycznych i obecnie posiada ponad 200 oddziałów na całym świecie. Firma Samsung pozostaje również zaufanym dostawcą kluczowych komponentów elektronicznych, takich jak pamięć DRAM i inne półprzewodniki. Priorytetem firmy Samsung jest tworzenie i dostarczanie wysokiej jakości produktów i usług, które poprawiają komfort i ułatwiają życie klientom z całego świata. Firma Samsung pragnie przynosić pozytywne zmiany w społeczności globalnej poprzez ciągłe poszukiwanie przełomowych innowacji i tworzenie wartości.
Wszystkie kości zostały sprawdzone programem MemTest86+, który nie wykazał żadnych błędów, dzięki czemu będziesz mógł cieszyć się długą i bezawaryjną pracą!
Memtest86+ to program zaprojektowany do tzw. „stres-testu” – jego zadaniem jest sprawdzenie stabilności podczas maksymalnego obciążenia pamięci operacyjnej RAM oraz wykrycie ewentualnych błędów.
DDR3
Większość rodzajów modułów SO-DIMM można rozpoznać wizualnie dzięki charakterystycznym nacięciom:
204-pinowe moduły SO-DIMM (DDR3 SDRAM) mają pojedyncze wycięcie bliżej środka niż w 200-pinowych modułach SO-DIMM.
Pamięć DDR3 wykonywana jest w technologii 90 nm lub mniejszej, co umożliwia zastosowanie niższego napięcia (1,5 V w porównaniu z 1,8 V dla DDR2 i 2,5 V dla DDR). Dzięki temu pamięć DDR3 charakteryzuje się zmniejszonym poborem mocy o około 40% w stosunku do pamięci DDR2 oraz większą przepustowością w porównaniu do DDR2 i DDR. Istnieją także niskonapięciowe moduły DDR3L zasilane napięciem 1,35V oraz DDR3U zasilane napięciem 1,2V zdefiniowane w dokumentach "JEDEC Standard No. 79-3-1A.01" (DDR3L) oraz "JEDEC Standard No. 79-3-2" (DDR3U).
Pamięci DDR3 nie są kompatybilne wstecz, tzn. nie współpracują z chipsetami obsługującymi DDR i DDR2. Moduły z pamięcią DIMM DDR3 mają przesunięte wcięcie w prawą stronę w stosunku do modułów DIMM DDR2.
Pamięci DDR3 występują w modułach o pojemności od 512MB do 16GB.
W 2010 roku JEDEC upubliczniła specyfikację pamięci DDR3L, która jest częścią standardu pamięci DDR3. Pamięci ram DDR3 low voltage mają niższe napięcie zasilania z 1,5 V na 1,35 V co skutkuje mniejszym poborem energii o 10%. Pamięci DDR3L są wstecznie kompatybilne z DDR3, jednakże nie każda płyta główna zgodna z pamięciami DDR3 pozwoli pracować modułom DDR3L przy znamionowym napięciu 1,35 V.
Kości, które Ci wyślemy, bezproblemowo będą współpracowały razem w tym trybie.
DUAL CHANNEL to technologia stosowana w kontrolerach pamięci, do wydajniejszej obsługi pamięci RAM, polegająca na podwojeniu przepustowości przesyłu danych pomiędzy kontrolerem pamięci a pamięcią RAM, co przekłada się na wzrost wydajności rzędu 20%-40%.